磁控濺射具有以下兩大優點：提高等離子密度，從而提高濺（jiàn）射速（sù）度；減少轟擊零件的電（diàn）子數目，因而降低了基材（cái）因電（diàn）子轟擊的升溫。

因此，該技（jì）術在薄膜技術中占（zhàn）有主導地位。磁控濺射陰極的最大缺點：使用平麵靶材，靶材在跑道區形成（chéng）濺射溝道，這溝（gōu）道一旦貫穿靶材，則整塊靶材即報廢，因而靶材的利用率隻有20-30%。

不過，目前為了避免這個缺點，很多靶（bǎ）材采用圓柱靶材形式，靶材利用（yòng）率得以大幅度（dù）提高。