物理氣相沉積介紹之真空卷繞鍍膜技術：
        真空卷繞鍍膜(卷對卷)是在真空下應用不同方法在柔性基體上實現（xiàn）連續鍍膜的一種技術。它涵蓋真空獲得（dé）、機電控（kòng）製、高精傳（chuán）動和表麵分析等（děng）多方麵內容。其重點（diǎn）是（shì），在保證鍍（dù）膜質量前提下提高卷繞速率（lǜ）、控製鍍膜穩定性及（jí）實施在線監控。卷對卷技術成本低、易操作（zuò）、與柔性基底相容、生產率高及可連（lián）續鍍多層膜等優點。第一台真空蒸（zhēng）發卷繞鍍膜機1935年製成，現可鍍幅寬由500至2500mm。卷對（duì）卷技術應用由包（bāo）裝和裝飾用膜，近年逐漸擴大至（zhì）激光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是未（wèi）來柔性電子等行業的主流技術（shù）之一（yī）。
        真空卷繞鍍（dù）膜係統按結構可分為單室、雙室（shì）和多室真空卷繞係統，後兩者可解決開卷放氣問題並分別控製卷繞和（hé）鍍膜（mó）室各自真空度。卷繞張（zhāng）力控製分錐度、間（jiān）接和直接控製模型，錐度控製模型可解決薄膜褶皺和徑向力分布不均的問題；間接張力（lì）控製無需傳感器，可用內置張力控製模塊的（de）矢量變頻器代替（tì）；直接張力（lì）控製通過張（zhāng）力傳感器精確測量張力值，但需慣性矩和角速度等多種（zhǒng）參數（shù）。真空卷繞鍍膜主要有真空蒸發、磁控濺射等方式（shì），可用於製備新型高折射（shè）率薄（báo）膜、石（shí）墨烯等納米材料和（hé）柔性太陽能電池等半導體器（qì）件。針對真（zhēn）空卷繞鍍膜技（jì）術研究現狀及（jí）向產業化過渡存在（zài）的問題，最後作了簡要分析與展望。
        真（zhēn）空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍膜和（hé）電氣控製等係統組成。真空卷繞鍍（dù）膜設備根據真空室有無擋板，可分單室、雙室和多室結構。單室的收放卷（juàn）輥（gǔn）和鍍膜輥在同一室中，結構簡（jiǎn）單但開卷時放氣會汙染真空環境。雙室結構將係統用擋（dǎng）板隔成卷繞（rào）和鍍膜室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似開卷放氣問題（tí）。多室常用於製備複（fù）合薄膜，在雙室基礎上將相鄰鍍膜區用擋板隔開避免幹擾。如Krebs等將Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋（dǎng）板固定於兩磁（cí）控濺射（shè）靶間，板（bǎn）兩側塗覆50μm的銅層。分隔擋板與真空室壁狹縫越小越好。據鍍膜時輥筒作（zuò）用分為單主輥和多主輥卷繞（rào）鍍膜機。據電機個數，則可分為兩電機、三電機和四電機驅動係統。

下一個（gè）：真空鍍膜機所以（yǐ）在後掩蔽和清（qīng）洗輥速度不太快