電子在電場的作用下加速飛（fēi）向基片（piàn）的過程中與氬原子發生碰撞,電離出（chū）大量的氬離子和電（diàn）子,電子飛向基片.氬離子在電場（chǎng）的作用下加速轟擊（jī）靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中（zhōng）性的靶原（yuán）子（或分子）沉積在基片（piàn）上成膜.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶麵的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很高（gāo）,二次電子在磁場的作用下圍繞靶麵作圓周運動,該電子的運動（dòng）路徑很長,在運動過程中不斷的（de）與氬原子發生碰撞電（diàn）離出大量的氬（yà）離子轟擊（jī）靶材,經過多次碰撞後電子的能量逐漸（jiàn）降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材（cái）,最（zuì）終沉積在基片上.

        磁控濺射就是以磁場束（shù）縛和延長電（diàn）子（zǐ）的運動路徑,改變電子（zǐ）的運動（dòng）方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅（jǐn）是（shì）基片,真空（kōng）室內壁及靶源陽極也是電子歸宿（xiǔ）.但一般（bān）基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與（yǔ）電場的交互作用（yòng）（E X B shift）使單個電子軌跡呈三維（wéi）螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於（yú）靶麵圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場（chǎng）磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方向不同會對成膜有（yǒu）很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍（dù）靶源,離子源（yuán）,等離子源（yuán）等都在次原理（lǐ）下工作.所不同的是（shì）電場方向,電壓電流大小而已.